Барьеры искрозащиты БИС-А-100-Ех, ЭнИ-БИС-150-Ех, БИС-А-200-Ex, БИС-А-300-Ex, ЭнИ-БИС-3101-Ех-DI, ЭнИ-610, ЭнИ-410, ЭнИ-БИС-1000-Ех, БПИ-24-TBUS, ЭнИ-БИС-3401-Ех-RS
Цена: по запросу
Назначение
Барьеры искрозащиты БИС-А-100-Ех, ЭнИ-БИС-150-Ех, БИС-А-200-Ex, БИС-А-300-Ex, ЭнИ-БИС-3101-Ех-DI, ЭнИ-610, ЭнИ-410, ЭнИ-БИС-1000-Ех, БПИ-24-TBUS, ЭнИ-БИС-3401-Ех-RS предназначены для ограничения электрической энергии, подаваемой во взрывоопасную зону.
Барьеры искрозащиты БИС-А-100-Ех, ЭнИ-БИС-150-Ех, БИС-А-200-Ex, БИС-А-300-Ex, ЭнИ-БИС-3101-Ех-DI, ЭнИ-610, ЭнИ-410, ЭнИ-БИС-1000-Ех, БПИ-24-TBUS, ЭнИ-БИС-3401-Ех-RS обеспечивают сопряжение оборудования, размещенного во взрывобезопасной зоне, с устройствами и приборами, установленными во взрывоопасных зонах, в качестве разделительных элементов между искробезопасными и искроопасными цепями.
Барьеры искрозащиты БИС-А-100-Ех, ЭнИ-БИС-150-Ех, БИС-А-200-Ex, БИС-А-300-Ex, ЭнИ-БИС-3101-Ех-DI, ЭнИ-610, ЭнИ-410, ЭнИ-БИС-1000-Ех, БПИ-24-TBUS, ЭнИ-БИС-3401-Ех-RS передают сигналы от термопар и термосопротивлений, унифицированные токовые сигналы 0...5, 4...20, 0...20 мА.
| Наименование | Количество каналов | Маркировка | Uвх.max, В | Iпр, мА | Rмax, Oм | Rвв мах, Ом | Rнв мах, Ом | Um, В | Uо, В | Iо, мА | Pо, Вт | Со, мкФ | Lо, мГн | ||
| IIС | IIB | IIC | IIB | ||||||||||||
| ЭнИ-БИС-101-Ex | 1 | [Ех ia Ga] IIC/IIВ | 5,0 | 40 | 260 | 130 | 130 | 250 | 8,0 | 60 | 0,12 | 4,0 | 40,0 | 7,0 | 25,0 |
| ЭнИ-БИС-102-Ex | 1 | [Ех ia Ga] IIC/IIВ | 9,3 | 40 | 320 | 160 | 160 | 12,8 | 65 | 0,21 | 0,5 | 3,4 | 7,0 | 25,0 | |
| ЭнИ-БИС-103-Ex | 2(=) | [Ех ib Gb] IIC/IIВ | 4,5 | 40 | 130 | 130 | 0 | 6,5 | 100 | 0,17 | 4,0 | 50,0 | 1,5 | 10,0 | |
| ЭнИ-БИС-104-Ex | 2(=) | [Ех ib Gb] IIC/IIВ | 9,8 | 40 | 190 | 190 | 0 | 12,6 | 100 | 0,32 | 0,6 | 3,7 | 1,5 | 10,0 | |
| ЭнИ-БИС-105-Ex | 2(≠) | [Ех ia Ga] IIC/IIВ | 9,8 | 40 | 190 | 190 | 0 | 12,6 | 100 | 0,32 | 0,6 | 3,7 | 1,5 | 10,0 | |
| ЭнИ-БИС-106-Ex | 2(≠) | [Ех ia Ga] IIC/IIВ | 9,3 | 40 | 260 | 130 | 130 | 12,8 | 100 | 0,32 | 0,5 | 3,4 | 1,5 | 10,0 | |
| ЭнИ-БИС-107-Ex | 2(=) | [Ех ia Ga] IIC/IIВ | 9,3 | 40 | 260 | 130 | 130 | 12,8 | 100 | 0,32 | 0,5 | 3,4 | 1,5 | 10,0 | |
| ЭнИ-БИС-108-Ex | 2(=) | [Ех ia Ga] IIC/IIВ | 24,0 | 40 | 380 | 190 | 190 | 25,2 | 100 | 0,63 | 0,05 | 0,4 | 0,5 | 5,0 | |
| ЭнИ-БИС-109-Ex | 1 | [Ех ia Ga] IIC/IIВ | 7,5 | 40 | 94,5 | 47,25 | 47,25 | 9,3 | 220 | 0,52 | 1,0 | 10,0 | 0,5 | 2,0 | |
| ЭнИ-БИС-110-Ex | 2(=) | [Ех ib Gb] IIC/IIВ | 24,0 | 40 | 280 | 280 | 0 | 25,2 | 100 | 0,63 | 0,05 | 0,4 | 0,5 | 5,0 | |
| ЭнИ-БИС-111-Ex | 1 | [Ех ib Gb] IIВ | 23,8 | 100 | 86 | 86 | 0 | 25,2 | 380 | 2,40 | – | 0,4 | – | 0,98 | |
| ЭнИ-БИС-112-Ex | 5(=) | [Ех ia Ga] IIВ | 25,4 | 40 | 312 | 156 | 156 | 29,0 | 260 | 1,89 | – | 0,3 | – | 1,05 | |
| ЭнИ-БИС-113-Ex | 2(≠) | [Ех ib Gb] IIВ |
24,0 5,7 |
100 40 |
88 31 |
88 31 |
0 0 |
25,5 8,0 |
374 800 |
2,39 1,60 |
– |
0,4 50 |
– |
0,5 0,01 |
|
| ЭнИ-БИС-114-Ex | 5(=) | [Ех ib Gb] IIВ | 25,4 | 40 | 156 | 156 | 0 | 29,0 | 260 | 1,89 | – | 0,3 | – | 1,05 | |
| ЭнИ-БИС-115-Ex | 2(=) | [Ех ib Gb] IIВ | 5,7 | 40 | 31 | 31 | 0 | 8,0 | 800 | 1,6 | – | 5,0 | – | 0,01 | |
| ЭнИ-БИС-116-Ex | 1(=) | [Ех ib Gb] IIC/IIВ | 10,2 | 40 | 110 | 55 | 55 | 12,5 | 750 | 2,35 | 0,34 | 0,51 | 0,05 | 0,014 | |
| ЭнИ-БИС-117-Ex | 2(=) | [Ех ia Ga] IIC/IIВ | 24,3 | 40 | 390 | 195 | 195 | 27,0 | 91 | 0,61 | 0,05 | 0,11 | 0,5 | 1,0 | |
| ЭнИ-БИС-118-Ex | 1 | [Ех ib Gb] IIВ | 24,0 | 100 | 88 | 88 | 0 | 25,5 | 374 | 2,39 | – | 0,4 | – | 1,0 | |
| Наименование | Маркировка | Uвх.max, В | Iпр, мА | Rмax, Oм | Um, В | Uо, В | Iо, мА | Pо, Вт | Со, мкФ | Lо, мГн | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IIС | IIB | IIC | IIB | |||||||||
| ЭнИ-БИС-150-Ex-АС | [Ех ia Ga] IIC/IIВ |
8,5 8,5 |
40 40 |
1539 1539 |
250 |
13,0 13,0 |
9 9 |
0,03 0,03 |
0,32 0,32 |
0,63 0,63 |
438 438 |
1316,9 1316,9 |
| ЭнИ-БИС-151-Ex-DC(+) | [Ех ia Ga] IIC/IIВ |
23,5 8,0 |
40 40 |
354 96 |
28,0 10,0 |
92 200 |
0,64 0,50 |
0,07 0,53 |
6,14 1,07 |
4,2 0,88 |
12,6 2,7 |
|
| ЭнИ-БИС-151-Ех-DC(+)-R250 | [Ех ia Ga] IIC/IIВ |
23,5 8,0 |
40 40 |
354 96 |
28,0 10,0 |
92 200 |
0,64 0,50 |
0,07 0,53 |
6,14 1,07 |
4,2 0,88 |
12,6 2,7 |
|
| ЭнИ-БИС-152-Ex-DC(–) | [Ех ia Ga] IIC/IIВ |
22,0 16,0 |
40 40 |
354 428 |
26,0 19,5 |
86 51 |
0,56 0,26 |
0,08 0,14 |
0,16 0,28 |
4,8 13,6 |
14,4 41,0 |
|
| ЭнИ-БИС-153-Ex-АС | [Ех ia Ga] IIC/IIВ |
13,5 13,5 |
40 40 |
144 144 |
15,5 15,5 |
157 157 |
0,61 0,61 |
0,22 0,22 |
0,44 0,44 |
1,4 1,4 |
4,3 4,3 |
|
| ЭнИ-БИС-154-Ex-DC(+) | [Ех ia Ga] IIC/IIВ |
17,2 17,2 |
40 40 |
176 176 |
21,0 21,0 |
142 142 |
0,75 0,75 |
0,12 0,12 |
0,24 0,24 |
1,7 1,7 |
5,3 5,3 |
|
| ЭнИ-БИС-155-Ex-АС | [Ех ia Ga] IIC/IIВ |
6,9 6,9 |
40 40 |
120 120 |
9,0 9,0 |
122 122 |
0,27 0,27 |
0,66 0,66 |
1,32 1,32 |
2,3 2,3 |
7,2 7,2 |
|
| ЭнИ-БИС-156-Ex-АС | [Ех ia Ga] IIC/IIВ |
15,0 15,0 |
40 40 |
150 150 |
18,0 18,0 |
147 147 |
0,66 0,66 |
0,16 0,16 |
0,33 0,33 |
1,6 1,6 |
4,9 4,9 |
|
| ЭнИ-БИС-157-Ex-DC(+) | [Ех ia Ga] IIC/IIВ |
23,5 23,5 |
40 40 |
354 354 |
28,0 28,0 |
92 92 |
0,64 0,64 |
0,07 0,07 |
0,14 0,14 |
4,2 4,2 |
12,6 12,6 |
|
| ЭнИ-БИС-157-Ex-DC(–) | [Ех ia Ga] IIC/IIВ |
23,5 23,5 |
40 40 |
354 354 |
28,0 28,0 |
92 92 |
0,64 0,64 |
0,07 0,07 |
0,14 0,14 |
4,2 4,2 |
12,6 12,6 |
|
| ЭнИ-БИС-157-Ex-DC(+)-d | [Ех ia Ga] IIC/IIВ |
23,5 23,5 |
40 40 |
354 диод |
28,0 28,0 |
92 — |
0,64 — |
0,07 0,07 |
0,14 0,14 |
4,2 4,2 |
12,6 12,6 |
|
| ЭнИ-БИС-157-Ex-DC(–)-d | [Ех ia Ga] IIC/IIВ |
23,5 23,5 |
40 40 |
354 диод |
28,0 28,0 |
92 — |
0,64 — |
0,07 0,07 |
0,14 0,14 |
4,2 4,2 |
12,6 12,6 |
|
| ЭнИ-БИС-157-Ex-DC(+)-d-P | [Ех ia Ga] IIC/IIВ |
23,5 23,5 |
40 40 |
280 диод |
28,0 28,0 |
110 — |
0,77 — |
0,07 0,07 |
0,14 0,14 |
2,9 2,9 |
11,7 11,7 |
|
| ЭнИ-БИС-158-Ex-DC(+) | [Ех ib Gb] IIC/IIВ |
23,5 — |
40 — |
354 — |
28,0 — |
92 — |
0,64 — |
0,07 — |
0,14 — |
4,2 — |
12,6 — |
|
| ЭнИ-БИС-158-Ex-DC(–) | [Ех ib Gb] IIC/IIВ |
23,5 — |
40 — |
354 — |
28,0 — |
92 — |
0,64 — |
0,07 — |
0,14 — |
4,2 — |
12,6 — |
|
| ЭнИ-БИС-159-Ex-АС-Р | [Ех ia Ga] IIC/IIВ |
8,5 8,5 |
40 40 |
103 103 |
13,0 13,0 |
176 176 |
0,57 0,57 |
0,32 0,32 |
0,63 0,63 |
1,1 1,1 |
3,47 3,47 |
|
| Наименование |
Количество каналов |
Напряжение питания, В |
Маркировка по взрывозащите |
Искробезопасная цепь Ех | Искроопасная цепь |
| ЭнИ-БИС-201-Ex ЭнИ-БИС-211-Ex |
1 | 24 или 36 | [Ех ib Gb]IIC/IIВ | 4…20 мА (входной сигнал) |
0…5, 0…20, 4…20 мА (выходной сигнал) |
| ЭнИ-БИС-202-Ex ЭнИ-БИС-212-Ex |
1 | 24 или 36 | [Ех ia Gа] IIC/IIВ | ||
|
ЭнИ-БИС-221-Ex-AI ЭнИ-БИС-222-Ex-AI |
1 или 2 | ~220 | [Ех ia Ga] IIC/IIВ или [Ех ib Gb] IIC/IIВ | ||
| ЭнИ-БИС-203-Ex | 1 | 24 или 36 | [Ех ib Gb] IIC/IIВ | 4…20 мА (выходной сигнал) |
0…5; 0…20 4…20 мА (входной сигнал) |
| ЭнИ-БИС-204-Ex | 1 | 36 | [Ех ia Gа] IIC/IIВ | ||
| ЭнИ-БИС-205-Ex | 1 | 24 или 36 | [Ех ib Gb] IIC/IIВ | контакт 0…3 кОм (входной сигнал) |
контакт реле (выходной сигнал) |
| ЭнИ-БИС-206-Ex | 1 | [Ех ia Gа] IIC/IIВ | |||
| ЭнИ-БИС-213-Ex | 1 | 24 | [Ех ib Gb] IIC/IIВ | ||
| ЭнИ-БИС-207-Ex | 1 | 36 | Потенциометр 0…5 В (входной сигнал) |
0…5, 0…20, 4…20 мА (выходной сигнал) |
|
| ЭнИ-БИС-214-Ex | 1 | 4…20 мА (выходной сигнал) |
4…20 мА (входной сигнал) |
| Наименование | Маркировка |
Напряжение питания, В |
Искробезопасная цепь Ех (входной сигнал) |
Искроопасная цепь (выходной сигнал) |
| ЭнИ-БИС-301-Ех-AI-1к (БИС-А-301-Ех) |
[Ех iа Ga] IIC/IIВ | 24 | 4…20 мА | 0…5, 0…20, 4…20 мА |
| ЭнИ-БИС-302-Ех-AI-1к | 24 | |||
| ЭнИ-БИС-310-Ех-DI-1к | 24 или 36 | сигнал NAMUR, дискретный сигнал до 5 кГц | дискретный сигнал до 5 кГц | |
| ЭнИ-БИС-320-Ех-AI-1к-Н | 24 или 36 | 4…20 мА/HART | 4…20 мА/HART |
| Наименование | Количество каналов |
Напряжение питания, В |
Маркировка | Искробезопасная цепь Ех | Искроопасная цепь |
| ЭнИ-БИС-3101-Ex-DI-1к | 1 | 24 или 36 | [Ех iа Ga] IIC/IIВ |
дискретный сигнал (входной сигнал) |
открытый |
| ЭнИ-БИС-3101-Ex-DI-2к | 2 |
| Параметр | Значение |
| Количество входных каналов | 2 |
| Входное напряжение постоянного тока, В | 18…40 |
| Количество выходных каналов | 1 (TBUS) |
| Выходное напряжение постоянного тока, В | 18…40 |
| Максимальный ток нагрузки, А | 4 |
| Стабилизация выходного напряжения | Нет |
| Конструктивное исполнение | пластмассовый корпус для монтажа на DIN-рейке NS35\7,5 |
| Степень защиты по ГОСТ 14254 | IP30 |
| Средняя наработка на отказ с учетом технического обслуживания, часов | 120000 |
| Средний срок службы, лет | 12 |
| Масса модуля, кг | не более 0,15 |
| Параметр | Значение |
| Максимальное рабочее напряжение Uраб, В | 30 |
| Максимального входного напряжения Ui, В | 30 |
| Максимальная входная мощность Рi, Вт | 0,6 |
| Сопротивления резисторов R1/R2, кОм | 10/2,4 |
| Мощность резисторов R1/R2, Вт | 0,75/0,75 |
| Степень защиты по ГОСТ 14254 | IP30 |
| Масса, кг | не более 0,01 |
| Наименование | Маркировка | Uвх.max, В | Iпр, мА | Rмax, Oм | Um, В | Uо, В | Iо, мА | Pо, Вт | Со, мкФ | Lо, мГн | ||
| IIС | IIB | IIC | IIB | |||||||||
| ЭнИ-БИС-1007-Ex-DC(+) | [Ех ia Ga] IIC/IIВ |
10,98 10,98 |
40 40 |
306 306 |
250 |
13,0 13,0 |
100 100 |
0,33 0,33 |
0,24 0,24 |
0,47 0,47 |
0,400 0,400 |
0,800 0,800 |
| ЭнИ-БИС-1008-Ex-AC | [Ех ia Ga] IIC/IIВ |
11,30 11,30 |
40 40 |
346 346 |
26,4 26,4 |
100 100 |
0,66 0,66 |
0,06 0,06 |
0,11 0,11 |
0,400 0,400 |
0,800 0,800 |
|
| ЭнИ-БИС-1009-Ex-AC | [Ех ia Ga] IIC/IIВ | 7,69 | 40 | 75 |
9,3 9,3 |
220 220 |
0,51 0,51 |
0,46 0,46 |
0,92 0,92 |
0,083 0,083 |
0,165 0,165 |
|
| ЭнИ-БИС-1010-Ex-DC(+) | [Ех ib Gb] IIC/IIВ |
22,00 22,00 |
40 40 |
283 283 |
25,8 25,8 |
100 100 |
0,65 0,65 |
0,06 0,06 |
0,12 0,12 |
0,400 0,400 |
0,800 0,800 |
|
| ЭнИ-БИС-1013-Ex-DC(+) | [Ех ib Gb] IIВ |
22,00 6,72 |
100 40 |
104 23,4 |
25,8 8,0 |
374 800 |
2,41 1,60 |
0,06 0,63 |
0,12 1,25 |
0,029 0,006 |
0,057 0,013 |
|
| ЭнИ-БИС-1015-Ex-DC(+) | [Ех ib Gb] IIВ |
6,72 6,72 |
40 40 |
23,4 23,4 |
8,0 8,0 |
800 800 |
1,60 1,60 |
0,63 0,63 |
1,25 1,25 |
0,006 0,006 |
0,013 0,013 |
|
| ЭнИ-БИС-1016-Ex-AC | [Ех ib Gb] IIC/IIВ | 10,05 | 40 | 43 |
12,5 12,5 |
750 750 |
2,34 2,34 |
0,26 0,26 |
0,51 0,51 |
0,007 0,007 |
0,014 0,014 |
|
| ЭнИ-БИС-1099-Ex | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |
| ЭнИ-БИС-1110-Ex-DC(+) | [Ех ib Gb] IIC/IIВ |
8,24 — |
40 — |
73 — |
10,0 — |
200 — |
0,50 — |
0,40 — |
0,80 — |
0,100 — |
0,200 — |
|
| ЭнИ-БИС-1115-Ex-DC(+) | [Ех ib Gb] IIC/IIВ |
12,25 — |
40 — |
123 — |
15,0 — |
100 — |
0,38 — |
0,18 — |
0,36 — |
0,400 — |
0,800 — |
|
| ЭнИ-БИС-1115-Ex-DC(+)-P | [Ех ib Gb] IIC/IIВ |
12,25 — |
40 — |
75 — |
15,0 — |
291 — |
1,09 — |
0,18 — |
0,36 — |
0,047 — |
0,094 — |
|
| ЭнИ-БИС-1150-Ex-АС | [Ех ia Ga] IIC/IIВ |
10,44 10,44 |
40 40 |
1523 1523 |
13,0 13,0 |
9 9 |
0,03 0,03 |
0,24 0,24 |
0,47 0,47 |
49,383 49,383 |
98,765 98,765 |
|
| ЭнИ-БИС-1150-Ex-АС-s | [Ех ia Ga] IIC/IIВ |
10,44 10,44 |
40 40 |
1523 1523 |
13,0 13,0 |
9 9 |
0,03 0,03 |
0,24 0,24 |
0,47 0,47 |
49,383 49,383 |
98,765 98,765 |
|
| ЭнИ-БИС-1150-Ex-DC(+) | [Ех ib Gb] IIC/IIВ |
11,00 11,00 |
40 40 |
1043 1043 |
13,0 13,0 |
9 9 |
0,03 0,03 |
0,24 0,24 |
0,47 0,47 |
49,383 49,383 |
98,765 98,765 |
|
| ЭнИ-БИС-1151-Ex-DC(+) | [Ех ia Ga] IIC/IIВ |
24,20 8,24 |
40 40 |
349 93 |
28,0 10,0 |
92 200 |
0,64 0,50 |
0,05 0,40 |
0,10 0,80 |
0,473 0,100 |
0,945 0,200 |
|
| ЭнИ-БИС-1151-Ех-DC(+)-R250 | [Ех ia Ga] IIC/IIВ |
24,20 8,24 |
40 40 |
349 93 |
28,0 10,0 |
92 200 |
0,64 0,50 |
0,05 0,40 |
0,10 0,80 |
0,473 0,100 |
0,945 0,200 |
|
| ЭнИ-БИС-1152-Ex-DC(+) | [Ех ia Ga] IIC/IIВ |
22,00 16,49 |
40 40 |
349 423 |
26,0 19,5 |
86 51 |
0,56 0,25 |
0,06 0,11 |
0,12 0,21 |
0,541 1,538 |
1,082 3,076 |
|
| ЭнИ-БИС-1152-Ex-DC(–) | [Ех ia Ga] IIC/IIВ |
22,00 16,49 |
40 40 |
349 423 |
26,0 19,5 |
86 51 |
0,56 0,25 |
0,06 0,11 |
0,12 0,21 |
0,541 1,538 |
1,082 3,076 |
|
| ЭнИ-БИС-1153-Ex-АС | [Ех ia Ga] IIC/IIВ |
12,72 12,72 |
40 40 |
141 141 |
15,5 15,5 |
157 157 |
0,61 0,61 |
0,17 0,17 |
0,33 0,33 |
0,162 0,162 |
0,325 0,325 |
|
| ЭнИ-БИС-1153-Ex-АС-s | [Ех ia Ga] IIC/IIВ |
12,72 12,72 |
40 40 |
141 141 |
15,5 15,5 |
157 157 |
0,61 0,61 |
0,17 0,17 |
0,33 0,33 |
0,162 0,162 |
0,325 0,325 |
|
| ЭнИ-БИС-1153-Ex-DC(+) | [Ех ib Gb] IIC/IIВ |
12,42 — |
40 — |
125 — |
15,5 — |
157 — |
0,61 — |
0,17 — |
0,33 — |
0,162 — |
0,325 — |
|
| ЭнИ-БИС-1154-Ex-DC(+) | [Ех ia Ga] IIC/IIВ |
18,20 18,20 |
40 40 |
173 173 |
21,0 21,0 |
142 142 |
0,75 0,75 |
0,09 0,09 |
0,18 0,18 |
0,198 0,198 |
0,397 0,397 |
|
| ЭнИ-БИС-1155-Ex-АС | [Ех ia Ga] IIC/IIВ |
7,02 7,02 |
40 40 |
117 117 |
9,0 9,0 |
122 122 |
0,27 0,27 |
0,49 0,49 |
0,99 0,99 |
0,269 0,269 |
0,537 0,537 |
|
| ЭнИ-БИС-1155-Ex-АС-Р-s | [Ех ia Ga] IIC/IIВ |
7,02 7,02 |
40 40 |
117 117 |
9,0 9,0 |
122 122 |
0,27 0,27 |
0,49 0,49 |
0,99 0,99 |
0,269 0,269 |
0,537 0,537 |
|
| ЭнИ-БИС-1155-Ex-АС-P | [Ех ia Ga] IIC/IIВ |
7,02 7,02 |
40 40 |
389 389 |
9,0 9,0 |
26 26 |
0,06 0,06 |
0,49 0,49 |
0,99 0,99 |
5,917 5,917 |
11,834 11,834 |
|
| ЭнИ-БИС-1156-Ex-АС | [Ех ia Ga] IIC/IIВ |
15,10 15,10 |
40 40 |
147 147 |
18 18 |
147 147 |
0,66 0,66 |
0,12 0,12 |
0,25 0,25 |
0,185 0,185 |
0,370 0,370 |
|
| ЭнИ-БИС-1156-Ex-АС-s | [Ех ia Ga] IIC/IIВ |
15,10 15,10 |
40 40 |
147 147 |
18 18 |
147 147 |
0,66 0,66 |
0,12 0,12 |
0,25 0,25 |
0,185 0,185 |
0,370 0,370 |
|
| ЭнИ-БИС-1157-Ex-DC(+) | [Ех ia Ga] IIC/IIВ |
23,90 23,90 |
40) 40 |
333 333 |
28 28 |
92 92 |
0,64 0,64 |
0,05 0,05 |
0,10 0,10 |
0,473 0,473 |
0,945 0,945 |
|
| ЭнИ-БИС-1157-Ex-DC(+)-f | [Ех ia Ga] IIC/IIВ |
23,90 23,90 |
(50)1) (50)1) |
333 333 |
28 28 |
92 92 |
0,64 0,64 |
0,05 0,05 |
0,10 0,10 |
0,473 0,473 |
0,945 0,945 |
|
| ЭнИ-БИС-1157-Ex-DC(+)-d | [Ех ia Ga] IIC/IIВ |
23,90 23,90 |
40 40 |
333 диод |
28 28 |
92 — |
0,64 — |
0,05 0,05 |
0,10 0,10 |
0,473 — |
0,945 — |
|
| ЭнИ-БИС-1157-Ex-DC(+)-d-f | [Ех ia Ga] IIC/IIВ |
23,90 23,90 |
(50)1) (50)1) |
333 диод |
28 28 |
92 — |
0,64 — |
0,05 0,05 |
0,10 0,10 |
0,473 — |
0,945 — |
|
| ЭнИ-БИС-1157-Ex-DC(+)-P | [Ех ia Ga] IIC/IIВ |
23,90 23,90 |
40 40 |
263 263 |
28 28 |
120 120 |
0,84 0,84 |
0,05 0,05 |
0,10 0,10 |
0,278 0,278 |
0,556 0,556 |
|
| ЭнИ-БИС-1157-Ex-DC(+)-P-f | [Ех ia Ga] IIC/IIВ |
23,90 23,90 |
(50)1) (50)1) |
263 263 |
28 28 |
120 120 |
0,84 0,84 |
0,05 0,05 |
0,10 0,10 |
0,278 0,278 |
0,556 0,556 |
|
| ЭнИ-БИС-1157-Ex-DC(+)-d-P | [Ех ia Ga] IIC/IIВ |
23,90 23,90 |
40 40 |
263 диод |
28 28 |
120 — |
0,84 — |
0,05 0,05 |
0,10 0,10 |
0,278 — |
0,556 — |
|
| ЭнИ-БИС-1157-Ex-DC(+)-d-P-f | [Ех ia Ga] IIC/IIВ |
23,90 23,90 |
(50)1) (50)1) |
263 диод |
28 28 |
120 — |
0,84 — |
0,05 0,05 |
0,10 0,10 |
0,278 — |
0,556 — |
|
| ЭнИ-БИС-1157-Ex-DC(–) | [Ех ia Ga] IIC/IIВ |
23,90 23,90 |
40) 40 |
333 333 |
28 28 |
92 92 |
0,64 0,64 |
0,05 0,05 |
0,10 0,10 |
0,473 0,473 |
0,945 0,945 |
|
| ЭнИ-БИС-1157-Ex-DC(–)-f | [Ех ia Ga] IIC/IIВ |
23,90 23,90 |
(50)1) (50)1) |
333 333 |
28 28 |
92 92 |
0,64 0,64 |
0,05 0,05 |
0,10 0,10 |
0,473 0,473 |
0,945 0,945 |
|
| ЭнИ-БИС-1157-Ex-DC(–)-d | [Ех ia Ga] IIC/IIВ |
23,90 23,90 |
40 40 |
333 диод |
28 28 |
92 — |
0,64 — |
0,05 0,05 |
0,10 0,10 |
0,473 — |
0,945 — |
|
| ЭнИ-БИС-1157-Ex-DC(–)-d-f | [Ех ia Ga] IIC/IIВ |
23,90 23,90 |
(50)1) (50)1) |
333 диод |
28 28 |
92 — |
0,64 — |
0,05 0,05 |
0,10 0,10 |
0,473 — |
0,945 — |
|
| ЭнИ-БИС-1157-Ex-DC(–)-P-f | [Ех ia Ga] IIC/IIВ |
23,90 23,90 |
(50)1) (50)1) |
263 263 |
28 28 |
120 120 |
0,84 0,84 |
0,05 0,05 |
0,10 0,10 |
0,278 0,278 |
0,556 0,556 |
|
| ЭнИ-БИС-1157-Ex-DC(–)-d-P-f | [Ех ia Ga] IIC/IIВ |
23,90 23,90 |
(50)1) (50)1) |
263 диод |
28 28 |
120 — |
0,84 — |
0,05 0,05 |
0,10 0,10 |
0,278 — |
0,556 — |
|
| ЭнИ-БИС-1158-Ex-AC | [Ех ib Gb] IIC/IIВ |
23,55 — |
40 — |
333 — |
28 — |
92 — |
0,64 — |
0,05 — |
0,10 — |
0,473 — |
0,945 — |
|
| ЭнИ-БИС-1158-Ex-DC(+) | [Ех ib Gb] IIC/IIВ |
23,90 — |
40 — |
333 — |
28 — |
92 — |
0,64 — |
0,05 — |
0,10 — |
0,473 — |
0,945 — |
|
| ЭнИ-БИС-1158-Ex-DC(+)-f | [Ех ib Gb] IIC/IIВ |
23,90 — |
(50)1) — |
333 — |
28 — |
92 — |
0,64 — |
0,05 — |
0,10 — |
0,473 — |
0,945 — |
|
| ЭнИ-БИС-1158-Ex-DC(+)-P | [Ех ib Gb] IIC/IIВ |
23,90 — |
40 — |
263 — |
28 — |
120 — |
0,84 — |
0,05 — |
0,10 — |
0,278 — |
0,556 — |
|
| ЭнИ-БИС-1158-Ex-DC(+)-P-f | [Ех ib Gb] IIC/IIВ |
23,90 — |
(50)1) — |
263 — |
28 — |
120 — |
0,84 — |
0,05 — |
0,10 — |
0,278 — |
0,556 — |
|
| ЭнИ-БИС-1158-Ex-DC(+)-PP | [Ех ib Gb] IIC/IIВ |
23,90 — |
40 — |
187 — |
28 — |
170 — |
1,19 — |
0,05 — |
0,10 — |
0,138 — |
0,277 — |
|
| ЭнИ-БИС-1158-Ex-DC(–) | [Ех ib Gb] IIC/IIВ |
23,90 — |
40 — |
333 — |
28 — |
92 — |
0,64 — |
0,05 — |
0,10 — |
0,473 — |
0,945 — |
|
| ЭнИ-БИС-1158-Ex-DC(–)-P | [Ех ib Gb] IIC/IIВ |
23,90 — |
40 — |
263 — |
28 — |
120 — |
0,84 — |
0,05 — |
0,10 — |
0,278 — |
0,556 — |
|
| ЭнИ-БИС-1158-Ex-DC(–)-P-f | [Ех ib Gb] IIC/IIВ |
23,90 — |
(50)1) — |
263 — |
28 — |
120 — |
0,84 — |
0,05 — |
0,10 — |
0,278 — |
0,556 — |
|
| ЭнИ-БИС-1159-Ex-АС | [Ех ia Ga] IIC/IIВ |
10,44 10,44 |
40 40 |
173 173 |
13 13 |
90 90 |
0,29 0,29 |
0,24 0,24 |
0,47 0,47 |
0,494 0,494 |
0,988 0,988 |
|
| ЭнИ-БИС-1159-Ex-АС-P | [Ех ia Ga] IIC/IIВ |
10,44 10,44 |
40 40 |
101 101 |
13 13 |
176 176 |
0,57 0,57 |
0,24 0,24 |
0,47 0,47 |
0,129 0,129 |
0,258 0,258 |
|
| ЭнИ-БИС-1159-Ex-АС-P-s | [Ех ia Ga] IIC/IIВ |
10,44 10,44 |
40 40 |
101 101 |
13 13 |
176 176 |
0,57 0,57 |
0,24 0,24 |
0,47 0,47 |
0,129 0,129 |
0,258 0,258 |
|
| ЭнИ-БИС-1160-Ex-AC | [Ех ia Ga] IIC/IIВ |
8,54 8,54 |
40 40 |
73 73 |
10 10 |
200 200 |
0,50 0,50 |
0,40 0,40 |
0,80 0,80 |
0,100 0,100 |
0,200 0,200 |
|
| ЭнИ-БИС-1161-Ex-AC | [Ех ia Ga] IIC/IIВ |
12,25 12,25 |
40 40 |
123 123 |
15 15 |
150 150 |
0,56 0,56 |
0,18 0,18 |
0,36 0,36 |
0,178 0,178 |
0,356 0,356 |
|
| ЭнИ-БИС-1162-Ex-AC | [Ех ia Ga] IIC/IIВ |
24,50 24,50 |
40 40 |
623 623 |
28 28 |
47 47 |
0,33 0,33 |
0,05 0,05 |
0,10 0,10 |
1,811 1,811 |
3,622 3,622 |
|
| Параметр | Значение |
| Диапазон напряжений питания переменного тока, В | 90…265 |
| Диапазон напряжений питания постоянного тока, В | 125…370 |
| Частота напряжения питания переменного тока, Гц | 45…50 |
| Выходная мощность, Вт | 24 |
| Выходное напряжение Uвых, В | 24 |
| Максимальный ток нагрузки Iвых.max, А | 1,0 |
| КПД, % | не менее 85 |
| Допускаемое отклонение значения выходного напряжения постоянного тока от номинального значения (24 В) при изменении входного напряжения питания не превышает, % | ±1 |
| Допускаемое отклонение значения выходного напряжения постоянного тока от номинального значения (24 В) при изменении температуры окружающего воздуха в рабочем диапазоне температур не превышает, % | ± 1 |
| Пульсации выходного напряжения (пик — пик) не более, % от выходного напряжения | 0,7 |
| Время установления рабочего режима не более, с | 1 |
| Электрическая прочность изоляции между входом и выходом, В | 1500 |
| Конструктивное исполнение | пластмассовый корпус для монтажа на DIN-рейке NS35\7,5 |
| Степень защиты по ГОСТ 14254 | IP20 |
| Средняя наработка на отказ с учетом технического обслуживания, часов | 120000 |
| Средний срок службы, лет | 12 |
| Масса блока, кг | не более 0,15 |
| Наименование | Количество каналов |
Напряжение питания, В |
Маркировка | Искробезопасная цепь Ех | Искроопасная цепь |
| ЭнИ-БИС-3401-Ex-RS-1к | 1 | 24 или 36 | [Ех ib Gb] IIC/IIВ | интерфейсы RS-422, RS-485 |
интерфейсы RS-422, RS-485 |
Пассивные барьеры искрозащиты ЭнИ-БИС-100-Ех (БИС-А-100-Ех). Руководство по эксплуатации
Импортозамещающие пассивные барьеры искрозащиты серии ЭнИ-БИС-150-Ех. Руководство по эксплуатации
Активные барьеры искрозащиты ЭнИ-БИС-200-Ех (БИС-А-200-Ex). Руководство по эксплуатации
Барьер искрозащиты с гальванической развязкой ЭнИ-БИС-3101-Ех-DI. Руководство по эксплуатации
Модуль питания и контроля шины TBUS ЭнИ-610. Руководство по эксплуатации
Модуль резисторов NAMUR ЭнИ-410. Руководство по эксплуатации
Блок питания импульсный для шины TBUS БПИ-24-TBUS. Руководство по эксплуатации